[发明专利]一种贵金属-二维过渡金属硫族化合物异质结构、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202111578005.9 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114182290B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 单艾娴;王荣明;张雨;滕雪爱 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C25B11/091 | 分类号： | C25B11/091;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种贵金属‑二维过渡金属硫族化合物异质结构、制备方法及其应用，所述方法包括如下步骤：步骤S1、提供二维过渡金属硫族化合物纳米片；步骤S2、使用湿化学方法合成贵金属‑二维过渡金属硫族化合物异质结构，具体步骤如下：将二维过渡金属硫族化合物纳米片、贵金属源和粘结剂混合在溶剂中，并保持搅拌一定时间以得到混合液，然后将还原剂加入到上述混合液并继续搅拌，然后离心收集产物，用乙醇和去离子水洗涤数次，之后将所得产物烘干以得到所述贵金属‑二维过渡金属硫族化合物异质结构。所制备的Pt‑MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 贵金属 二维 过渡 金属 化合物 结构 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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