[发明专利]一种TBC背接触太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种TBC背接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在进行过制绒清洗和抛光处理后的硅片的背面生长第一隧穿氧化层以及p+掺杂层，之后在所述第一隧穿氧化层以及p+掺杂层上进行第一次激光开膜并清洗，沉积第一氮化硅层，在所述第一氮化硅层上进行第二次激光开膜和清洗，生长第二隧穿氧化层以及n+掺杂层，沉积第二氮化硅层并清洗；在硅片的正面沉积钝化减反膜；在所述n+掺杂层和第二氮化硅层上进行第三次激光开膜并清洗，在对应n+掺杂层上印刷背电极。本发明的太阳能电池片的制备方法，制备得到的电池片可以很好的提高电池的电流密度以及开路电压；背面采用钝化接触的结构，可以很好的降低银的金属穿刺，减小电池的金属复合。