[发明专利]一种引线框架用低残余应力铜合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111579391.3 申请日: 2021-12-22
公开(公告)号: CN114196850B 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 刘峰;胡明烈;陈建华;马万军;马吉苗;程万林;夏彬;陈佳程;姜冰灿 申请(专利权)人: 宁波兴业盛泰集团有限公司;宁波兴业鑫泰新型电子材料有限公司
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;C22C9/02;C22C9/04;C22F1/08;C21D9/52;C22C1/03;H01L23/495;B23P15/00
代理公司: 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 代理人: 崔玥
地址: 315336 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种引线框架用低残余应力铜合金及其制备方法,属于铜合金材料技术领域。本发明提供的铜合金包括如下质量百分比的组分:Cr 0.2~0.5%,Sn 0.2~0.4%,Zn 0.15~0.3%,Si 0.01~0.05%和余量Cu。本发明通过在铜合金中添加Cr主要是利用其在铜合金中析出的Cr相进行强化,通过添加Si可与部分Cr生成Cr3Si相进行强化,通过添加Sn和Zn可以在铜合金中进行固溶强化,固溶的Sn和Zn可以抑制Cr相晶粒的长大,从而有效细化铜合金的晶粒尺寸;通过控制各强化元素的含量可以控制各析出相的析出数量与各织构的分布,使铜合金具有低残余应力的同时还兼具高强、高导电性能。
搜索关键词: 一种 引线 框架 残余 应力 铜合金 及其 制备 方法
【主权项】:
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