[发明专利]LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111581006.9 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114497298A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 薛龙;李森林;杨美佳;毕京锋 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 甄丹凤 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 公开了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法，所述LED外延结构包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的多量子阱；以及位于所述多量子阱上的P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括P型过渡层、P型窗口层以及位于二者之间的中间层，所述中间层的晶格常数与所述P型窗口层和所述P型过渡层的晶格常数相匹配。本发明提供的LED外延结构及LED芯片，在P型过渡层与P型窗口层之间引入中间层，中间层为多层渐变式结构，实现P型过渡层与P型窗口层之间的晶格常数逐渐改变，以减少突变式结构生长过程中的缺陷，改善晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 制备 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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