[发明专利]一种高纯度晶体生长系统及方法有效
| 申请号： | 202111581945.3 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114182341B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 毛朝斌;罗骞;黄吉裕;胡承;王慧勇 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超 |
| 地址： | 528200 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 晶体生长 系统 方法 | ||
【主权项】：
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