[发明专利]一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构在审
| 申请号： | 202111583684.9 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114446907A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 周超杰;夏晨辉;王刚;明雪飞;李奇哲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/473 | 分类号： | H01L23/473;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/48;H01L25/065 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。在裸硅晶圆上刻蚀盲孔，并对其进行电镀填充，制成带TSV铜柱的硅基板晶圆；在硅基板晶圆的底部刻蚀出芯片槽并埋入异构芯片；在硅基板晶圆的底部表面形成RDL和UBM的多层互联金属再布线；减薄硅基板晶圆片的顶部直至漏出TSV铜柱；在减薄的硅基板晶圆上刻蚀出针肋微流道及进出口通道，完成TSV针肋微流道下盖板；重复上述工序制作出TSV针肋微流道上盖板；将TSV针肋微流道上盖板和TSV针肋微流道下盖板进行面对面SoIC键合，实现微流道密封，完成微流道单元；利用晶圆级植球工艺，在重构的多层硅基晶圆的UBM处植上焊球，再对三维集成TSV针肋微流道圆片进行划片形成最终的封装体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 集成 tsv 针肋微流道 主动 散热 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
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