[发明专利]二维氮化镓晶体的制备方法有效
| 申请号： | 202111584076.X | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114232083B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李春晓;宋文涛;徐耿钊;刘争晖;张春玉;陈科蓓;韩厦;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/40;C30B29/64 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、提供金属片，并清洗；S2、加热融化镓金属，将熔融态的金属镓转移至金属片上；S3、将金属片及熔融态的金属镓置于反应腔室中，并对反应腔室进行抽真空；S4、加热反应腔室至恒定温度后，向反应腔室中通入氮源，使氮原子传输到金属镓表面，进行二维氮化镓晶体的生长。本发明二维氮化镓晶体的制备方法可以增加横向迁移率，使得超薄的sp3杂化方式及sp2杂化的六方相更容易获得，从而获得高结晶性、高平整的高质量二维氮化镓单晶材料，有望为深紫外光电及电力电子器件制备铺平道路。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 氮化 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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