[发明专利]一种利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法在审
| 申请号： | 202111584469.0 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114231933A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 任斌;何东旺 | 申请（专利权）人： | 江苏籽硕科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/02 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 韩睿 |
| 地址： | 225300 江苏省泰州市医药高新技术产业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，涉及离子束技术领域，包括以下步骤：步骤S1：准备，溅射壳准备；作业物件准备：靶台、金属靶材、氮离子源、衬底，工件台和挡板；步骤S2：预处理，物件清洗；衬底清洗；衬底表面处理；步骤S3：安装，将溅射壳进行固定；将所述步骤S2中的物件在所述溅射壳内进行安装；步骤S4：启动，用真空泵对所述溅射壳进行抽真空；驱动并打开氮离子源的电源；步骤S5：制膜；步骤S6：检验。本发明具备了通过开合挡板可对靶材进行表面的处理，以提高后续在衬底上的成膜质量，通过离子束溅射沉积工艺制成的薄膜具有均匀程度高、表面较为光滑，光学性质稳定的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 离子束 溅射 沉积 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏籽硕科技有限公司，未经江苏籽硕科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111584469.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
