[发明专利]p型氮化物的制备方法、结构及半导体器件在审
| 申请号： | 202111584747.2 | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN114242572A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌;周溯沅 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李柏柏;唐灵 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种p型氮化物的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上生长p型氮化物层；其中，所述p型氮化物层采用含氧MO源作为p型氮化物层的前驱体通过MOCVD外延生长在所述衬底上。本发明采用含氧MO源前驱体通过MOCVD外延生长p型氮化物，O掺入p型氮化物时氮化物费米能级增加，从而施主缺陷形成能增大，降低了施主补偿，同时p型氮化物层中形成的受主‑施主‑受主复合体中离化能变小，受主‑施主‑受主复合体中施主和受主的原子半径大小相互补偿导致晶格弛豫，降低了受主形成能，再者复合体中载流子短程的双极子散射提高了载流子迁移率，从而可以获得高空穴浓度以及高迁移率的p型氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 制备 方法 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏第三代半导体研究院有限公司，未经江苏第三代半导体研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111584747.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
