[发明专利]一种应用于SOI-FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置在审
| 申请号： | 202111586865.7 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114267671A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杨帆;邢红飞;孙丽丽;杜文汉 | 申请（专利权）人： | 常州鼎先电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213031 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域中的集成电路静电防护可靠性设计，具体为一种应用于SOI‑FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置；以SOI衬底为基础，制备得到纵向鳍硅、横向鳍硅、介质和栅电极；纵向鳍硅包含纵向鳍硅一和纵向鳍硅二；纵向鳍硅一包含第一类和第二类两种半导体类型的掺杂区域，纵向鳍硅二为第二类半导体类型，横向鳍硅为第二类半导体类型，纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅三者共同形成H型鳍硅结构且电学相连接，载流子控制区域仅为纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅的一部分；能够在SOI‑FinFET工艺下实施得到新型ESD防护装置，该装置不同于Bulk‑FinFET工艺相关静电防护技术中必须利用绝缘层下的衬底，为SOI‑FinFET工艺提供了一种良好的静电防护方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 soi finfet 工艺 型鳍硅 结构 esd 防护 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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