[发明专利]单晶硅体内BMD的批量评价方法在审
| 申请号： | 202111586944.8 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114280078A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 倪浩然;谢国荣;冉泽平;祁海滨;王忠保 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;G01N21/01;H01L21/66 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 杨畅 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 单晶硅体内BMD的批量评价方法，选取不同氧含量的数个原始硅片；对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，将待测试硅片通过FTIR检测待测试硅片的间隙氧的变化量，将间隙氧的变化量放入相关性公式中，得到BMD的数目。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 体内 bmd 批量 评价 方法 | ||
【主权项】：
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