[发明专利]单晶硅体内BMD的检测方法有效
| 申请号： | 202111586949.0 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114280072B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 倪浩然;谢国荣;冉泽平;祁海滨;芮阳 | 申请（专利权）人： | 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N1/32;G01N1/44;H01L21/66 |
| 代理公司： | 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 | 代理人： | 杨畅 |
| 地址： | 750000 宁夏回族自*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅体内BMD的检测方法，包括预处理步骤，所述预处理步骤具体为：将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度，通入第一预定气体，反应第一预定时间，进行预处理，得到有致密薄膜的原始硅片，以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径；通过对硅片进行预处理阻止硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散，并且使硅片内部空位、间隙氧扩散均匀，进而在热处理时在硅片内部生成均匀的BMD，因为硅片内部的BMD分布均匀，使得硅片在显微镜下进行BMD计数时不会因为密度区域选取而存在误差，从而BMD的检测数量更精确。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 体内 bmd 检测 方法 | ||
【主权项】：
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