[发明专利]用于半导体蚀刻废液中氯化铜提纯的电渗析装置在审

专利信息
申请号: 202111587471.3 申请日: 2021-12-23
公开(公告)号: CN114377552A 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 郝亚超;李亮;张成凯;李亚宁;付春明;郝润秋;肖彩英;刘祺;师晓光;周立山;靳晓霞 申请(专利权)人: 中海油天津化工研究设计院有限公司;中国海洋石油集团有限公司
主分类号: B01D61/42 分类号: B01D61/42;B01D69/12;C01G3/05
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300131 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种用于半导体蚀刻废液中提纯氯化铜电渗析装置。本发明电渗析装置包括淡化室、浓缩室和极室,由阳离子交换膜、阴离子交换膜间隔排列构成,其中所述的阳离子交换膜为提纯铜的复合膜。利用电渗析装置在直流电场推动下进行操作,采用复合膜选择性透过Na+离子而截留Cu2+离子,能实现对废液中铜的纯化,有利于后续资源化利用。本发明基于选择性阳离子交换的复合膜的电渗析装置用于蚀刻废液中氯化铜的提纯,具有操作简单、占地小、易于模块化放大等优点。
搜索关键词: 用于 半导体 蚀刻 废液 氯化铜 提纯 电渗析 装置
【主权项】:
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