[发明专利]用于半导体蚀刻废液中氯化铜提纯的电渗析装置在审
申请号: | 202111587471.3 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114377552A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 郝亚超;李亮;张成凯;李亚宁;付春明;郝润秋;肖彩英;刘祺;师晓光;周立山;靳晓霞 | 申请(专利权)人: | 中海油天津化工研究设计院有限公司;中国海洋石油集团有限公司 |
主分类号: | B01D61/42 | 分类号: | B01D61/42;B01D69/12;C01G3/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300131 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
本发明公开了一种用于半导体蚀刻废液中提纯氯化铜电渗析装置。本发明电渗析装置包括淡化室、浓缩室和极室,由阳离子交换膜、阴离子交换膜间隔排列构成,其中所述的阳离子交换膜为提纯铜的复合膜。利用电渗析装置在直流电场推动下进行操作,采用复合膜选择性透过Na |
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搜索关键词: | 用于 半导体 蚀刻 废液 氯化铜 提纯 电渗析 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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