[发明专利]一种多位扇出共栅型FLASH开关单元结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202111590862.0 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114373767B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 陈浩然;刘国柱;赵伟;魏敬和;魏应强;魏轶聃 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H10B41/70 | 分类号： | H10B41/70;H10B41/00;H10B41/10 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多位扇出共栅型FLASH开关单元结构及其制备方法，FLASH开关单元包括制备于同一衬底上的编程/擦除MOS管T1以及多个信号传输MOS管T2_n，在衬底内的上部设有阱，编程/擦除MOS管T1的有源区、信号传输MOS管T2_n的有源区均位于阱内，并通过有源区隔离体隔离；开关单元结构的制备方法如下：提供所需的衬底；在衬底上表面设置隧道氧化层，在隧道氧化层上设置浮栅多晶层；设置ONO阻挡层、控制栅多晶层；设置侧墙；设置源区、漏区；设置ILD介质层以及金属层。本发明得到的多位扇出共栅型FLASH开关单元结构简单，兼容CMOS工艺，面积小，可通过控制一个编程/擦除MOS管的编程态/擦除态实现对多路信号的同时开启/关闭，适用于千万门级及以下规模的FPGA电路的工艺集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多位扇出共栅型 flash 开关 单元 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所，未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111590862.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
