[发明专利]一种新型半导体结构的制备方法在审
| 申请号： | 202111593926.2 | 申请日： | 2021-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN114334628A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 苑晨超 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种新型半导体结构的制备方法，包括：形成第一半导体材料层；采用浸润气体对所述第一半导体材料层的表面进行浸润处理；在浸润处理后的表面形成第二半导体材料层；其中，所述第二半导体材料层中的第一元素含量大于所述第一半导体材料层中的第一元素含量；所述浸润气体包括形成Ⅳ族或者Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料时使用的气态反应前驱体。本发明提供的技术方案能够通过浸润处理，形成具有垂直陡峭界面的高质量半导体异质结结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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