[发明专利]用于CMOS图像传感器像素的方形栅极源极跟随器

摘要

描述了用于实现与互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器像(CIS)素集成的方形栅极源极跟随器(SGSF)晶体管的技术。SGSF晶体管可以具有带有源区域的有源层，其包括与两个源区域中的每个源区域分离以形成平行电流沟道的漏极区域。方形栅极结构层包括主栅极区域和侧栅极区域，每个主栅极区域都设置在相应的一个电流沟道上方，而侧栅极区域耦合到主栅极区域。在特定的物理宽度(W)和电流沟道长度(L)的情况下，平行电流沟道可以类似于尺寸为2W和相同的L的传统线性源极跟随器发挥作用。与可比尺寸为W和L的传统源极跟随器晶体管相比，SGSF实施方式可以提供许多特征，包括更高的帧率、更低的功耗和更低的噪声。