[发明专利]一种超强雪崩能力的整流二极管芯片的生产工艺在审
| 申请号： | 202111597048.1 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114284146A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张俊超;朱严刚;吴甘泉 | 申请（专利权）人： | 南通康芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 章威威 |
| 地址： | 226500 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超强雪崩能力的整流二极管芯片的生产工艺，具体步骤如下，1）选料：原硅片采用（100）晶向硅单晶；2）清洗；3）一次扩散，将硼纸磷纸同时放在硅片两侧，同时进炉扩散形成P+和N+；4）电解技术，利用电解原理将硅片表面的硼硅玻璃和磷硅玻璃去除干净；5）一次黄光；6）开沟：每个晶粒在边缘处的形状必须是正斜角大于60℃造型；7）清洗；8）上玻璃粉；9）去氧化膜；10）镀镍；11）测试挑出常规电性不良晶粒；12）切割形成芯片。优点是将原材料选取、一次扩散、扩散结构、吸杂技术、电解技术、表面造型技术和雪崩能力测试等关键技术结合到一起，才能做出达到欧洲雪崩二极管标准，具有超强雪崩能力的雪崩二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超强 雪崩 能力 整流二极管 芯片 生产工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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