[发明专利]微显示芯片阵列的制作方法在审
| 申请号： | 202111600644.0 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114373835A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 岳大川 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/22 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 田媛 |
| 地址： | 528000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种微显示芯片阵列的制作方法，包括：第1步、在衬底上形成缓冲层，在该缓冲层上依次沉积第一刻蚀层、第二刻蚀层；第2步、采用干法刻蚀工艺，利用掩膜在所述的第二刻蚀层上形成若干个图形化的窗口；第3步、采用湿法刻蚀工艺，去除暴露在所述的窗口处的第一刻蚀层材料，使窗口中的缓冲层暴露；第4步、在窗口中选择性外延，依次生长n‑GaN、MWQ和P‑GaN层，形成LED像素单元，完成MESA工艺。本申请采用先刻蚀成型，再生长外延制作MESA结构的方法，可以避免在LED像素单元内部产生电荷积聚，避免侧壁晶格破坏，从而避免降低器件的EQE。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 芯片 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
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