[发明专利]一种微波薄膜集成电路的制备方法在审
| 申请号： | 202111601571.7 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114334807A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 程吉霖;刘旭;卢超;聂源 | 申请（专利权）人： | 成都亚光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/18;C23C14/34;C23F1/02;C23F1/14;C23F1/26;C23F1/28;C25D5/02;C25D5/54 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 耿苑 |
| 地址： | 610051 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种微波薄膜集成电路的制备方法，在金属化处理后，附着光刻胶，并选择性去除光刻胶形成电路图形，再选择性电镀金，然后利用真空溅射的方式制备抗刻蚀TiW掩膜保护层，利用光刻胶剥离工艺很好的去除非图形区域的抗刻蚀金属掩膜保护层，再按照一定顺序依次去除其它膜层，从而得到微波薄膜集成电路板。本发明提供的制备方法可以用于含Ni层的复合薄膜，打破了现有技术的局限，适用性更广。而且，即使带胶电镀过程中出现电镀渗金现象，利用本发明的制备方法，也可制备出合格的薄膜电路。同时，本发明的制备方法能够提高附着性，克服了在金层上电镀会降低电路附着力而不适用于对抛光型陶瓷基片进行金属化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微波 薄膜 集成电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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