[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111602363.9 | 申请日： | 2021-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN116344602A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 沈宇桐 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王军红;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底和位于所述衬底上的栅叠层结构；其中，所述栅叠层结构包括：高K介质层；与所述高K介质层接触的第一阻挡层；位于所述高K介质层远离所述衬底一侧的功函数层；位于所述功函数层远离衬底一侧的栅电极层；其中，所述第一阻挡层包含与高K介质层的相同的金属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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