[发明专利]一种PERC+SE电池碱抛前后保护工艺

摘要

本发明公开了一种PERC+SE电池碱抛前后保护工艺，包括以下步骤，前氧化+去PSG、碱抛处理和后氧处理，先使用硅烷和甲硅烷的混合气体对硅片进行前氧化处理，再使用HF与去离子水混合的溶液去除扩散过程中形成在硅片背面多余的SiO2，硅片进行碱洗、碱抛、酸洗、慢提拉和烘干后，使用硅烷和甲硅烷的混合气体对硅片进行后氧化处理。本发明的保护工艺采用硅烷和甲硅烷的混合气体，可以保护SE激光掺杂后的区域，同时增设了后氧处理，和中间的碱抛工艺兼容，具有氧化层均匀，致密性好，通氧量低且工艺时间短的特点，进一步降低了硅片表面的缺陷密度，可以降低表面复合速率，提高短波响应。