[发明专利]一种自适应工艺波动的铁电电容写入电路、方法及电子设备在审

专利信息
申请号: 202111618117.2 申请日: 2021-12-27
公开(公告)号: CN114333938A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 杨建国;罗庆;张栋林 申请(专利权)人: 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22;G11C16/24
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 王胜利
地址: 100176 北京市大兴区经济技*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种自适应工艺波动的铁电电容写入电路、方法及电子设备,涉及微电子技术领域。电路包括:检测电容差分子电路,与检测电容差分子电路通过位线连接的差分电流镜子电路,以及与差分电流镜子电路电连接的操作电压生成模块;检测电容差分子电路在接收到写入数值时,控制位线归零,在位线上形成第一电压差,将第一电压差值作为差分电流镜子电路的输入电压差值;差分电流镜子电路基于输入电压差值确定至少三个不同的输出电压差值;操作电压生成模块基于至少三个不同的输出电压差值确定电容操作电压,可以实现不同的输出电压至确定不同工况场景下的电容操作电压,可以自适应于工艺的波动,实现电容操作电压的调整,提高铁电电容的寿命。
搜索关键词: 一种 自适应 工艺 波动 电容 写入 电路 方法 电子设备
【主权项】:
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