[发明专利]LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111618418.5 | 申请日： | 2021-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN114242860A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌;周溯沅 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 210000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，LED芯片的制备方法，包括：提供基底；提供基底；形成外延结构及退火层；外延结构位于所述基底的上表面，退火层位于外延结构的上表面，退火层暴露出外延结构；于退火层的上表面及暴露出的外延结构上形成第一电极，退火层在退火处理时向外延结构内注入电子，以提高外延结构内的空穴浓度，从而改善电子和空穴分布不均匀，避免因电子浓度高、迁移快导致电子溢散至外延结构中的问题，提高空穴的离化效率和辐射复合效率，改善大电流下效率骤降效应。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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