[发明专利]基于表面等离子体激元增强吸收的铟镓砷雪崩光电探测器

摘要

本发明公开了一种基于表面等离子体激元的铟镓砷雪崩光电探测器，包括包括InP衬底和由下至上依次形成在InP衬底上的第一InP过渡层、第一InP接触层、InP倍增层、InP电荷层、nGaAsP能带过渡层、InGaAs光吸收层、第二InP过渡层、第二InP接触层，第二InP接触层上形成正电极和金属二维孔阵列结构，第一InP接触层上形成负电极。本发明金属二维孔阵列结构可以使得表面等离子体激元与入射光耦合，增强光吸收，由于表面等离子体激元的局域性在亚波长范围，因此设计铟镓砷雪崩光电探测器的结构时接触层和吸收区要薄，使得耦合光可以局域在吸收区附近，从而增强光吸收。