[发明专利]一种测试差分存储结构芯片余量的方法在审
| 申请号： | 202111620238.0 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114283871A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王鑫 | 申请（专利权）人： | 上海奔芯集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/50 |
| 代理公司： | 成都明涛智创专利代理有限公司 51289 | 代理人： | 赵子珩 |
| 地址： | 200000 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测试差分存储结构芯片余量的方法，包括以下步骤：S1、当差分存储结构芯片中左边cell为erase cell，右边cell为program cell时，在右边的电流支路增加一个外加的第一电流支路，右边的电流就变成program cell+第一外部电流，简写为ip+iex，ip+iex大于erase cell时，read出的数据fail，此时iex就是ie和ip的电流差，第一外部电流就是所需的erase cell和program cell电流的余量。本发明的有益效果是：针对传统测量cell margin方法的基础上，通过引入额外支路电流来对差分存储结构芯片测试中数据cell marign进行测量，通过将erase cell和与program cell加上额外支路的电流，即ie与ip+iex，进行比较来读出数据0和1，因此就能得出这两个cell电流的差值，即iex的值，这个差值就是差分存储器的真正余量，更加准确的表征了整个芯片的margin值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 存储 结构 芯片 余量 方法 | ||
【主权项】：
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