[发明专利]一种局部双面隧穿钝化接触结构电池及其制备方法

摘要

一种局部双面隧穿钝化接触结构电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，所述n型硅基底的正背面均设有一层层，且所述n型硅基底的正面自下而上依次设置有层、p型掺杂多晶硅层、功能层以及正面电极，所述n型硅基底的背面自上而下依次设置有层、n型掺杂多晶硅层、TCO层以及背面电极；其中，所述功能层包括层，所述层上端面镂空设置有TCO沉积层，所述正面电极设于所述TCO沉积层上；本发明还公开其制备方法，通过引入局部TCO接触以及低温银浆技术，将隧穿钝化接触结构应用在TOPCON电池正背面，并且正面采用局部的TCO接触，不仅减小了PVD对正面钝化层的溅射损失、降低了TCO的寄生吸收、还减小了TCO的消耗降低成本。