[发明专利]半导体的加工方法在审
| 申请号： | 202111622877.0 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116352592A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 马阳军 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B7/22;H01L21/304 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 廖慧琪 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体的加工方法，应用于二氧化硅基体内含有镍铁线圈的半导体元件，包括：将半导体元件放置在第一减薄盘上进行第一次减薄研磨，得到一次减薄后的半导体元件；将一次减薄后的半导体元件放置在第二减薄盘上进行第二次减薄研磨，得到二次减薄后的半导体元件；其中，第二减薄盘上的金刚石颗粒小于第一减薄盘上的金刚石颗粒，第二减薄盘的旋转速度小于第一减薄盘的旋转速度；将二次减薄后的半导体元件放置在第三减薄盘上进行抛光研磨，得到减薄抛光后的半导体元件；其中，第三减薄盘上的金刚石颗粒小于第二减薄盘上的金刚石颗粒，第三减薄盘的旋转速度小于第二减薄盘的旋转速度。采用本发明实施例能够满足精磨抛光的技术要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞新科技术研究开发有限公司，未经东莞新科技术研究开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111622877.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种卡比多巴工艺杂质的制备方法
- 下一篇：电荷泵电路
