[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111625718.6 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114496794A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王欢 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法，其在淀积垂直氧化层结构后还刻蚀将垂直氧化层结构的上表面降低至半导体衬底的上表面之下，然后根据局部硅氧化隔离工艺在半导体衬底和垂直氧化层结构上氧化获得水平氧化层结构。本发明的半导体器件及其制造方法在氧化获得水平氧化层结构之前将垂直氧化层结构的上表面刻蚀至半导体衬底的上表面之下，使其对应的凹槽的顶部边缘的尖角结构，在氧化时可由其侧面和上表面同时氧化，进而将该尖角结构圆滑化，获得圆滑的水平氧化层结构和垂直氧化层结构的交界结构，保障获得的水平氧化层的厚度，保障水平氧化层结构的击穿保护性能，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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