[发明专利]一种含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111626296.4 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN114275735B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 斯庭智;张响响;李永涛;柳东明;张庆安 申请(专利权)人: 安徽工业大学
主分类号: C01B3/00 分类号: C01B3/00;C22C30/00;B22F9/02;B22F9/04
代理公司: 安徽顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 代理人: 徐文恭
地址: 243002 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明属于储氢材料技术领域,具体涉及一种含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体及其制备方法,该材料的化学式为Mgx(Ti0.35V0.35Nb0.2Cr0.1)1‑x,其中x=0.01~0.25。本发明成功制备了一种含Mg室温可逆储氢高熵合金粉体,制备的Mgx(Ti0.35V0.35Nb0.2Cr0.1)1‑x高熵合金粉体能够加入的Mg含量最高可达25%,与传统高熵合金相比较,加入大量的轻质元素Mg,这大大降低了合金的密度;同时制备的Mgx(Ti0.35V0.35Nb0.2Cr0.1)1‑x高熵合金粉体具有室温可逆储氢以及循环稳定性高的特点,与其他含Mg高熵合金比较,具备在室温下就可以进行可逆吸放氢的突出效果;本发明制备方法简单、易控,生产设备投资少,生产过程无污染,易于工业化大规模生产。
搜索关键词: 一种 mg 室温 可逆 储氢高熵 合金粉 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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