[发明专利]一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统在审
| 申请号： | 202111629595.3 | 申请日： | 2021-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114184303A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘德峰;李欣;杨羽;张守超;高云端;黄漫国 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所;天津城建大学 |
| 主分类号： | G01K11/324 | 分类号： | G01K11/324 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 101111*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于碳化硅拉曼散射半高峰的温度测量方法及系统，包括：对碳化硅晶体进行中子辐照，得到辐照碳化硅晶体；对所述辐照碳化硅晶体进行若干个退火温度的退火处理，得到退火碳化硅晶体；基于拉曼光谱仪获取所述退火碳化硅晶体的P个拉曼图谱；P为大于1的正整数；获取每个所述拉曼图谱在设定频移位置处的特征峰半高宽值；基于每个所述特征峰半高宽值得到半高宽随温度变化的拟合曲线；获取经过中子辐照后的碳化硅晶体在待测位置处的实时拉曼图谱，基于所述实时拉曼图谱，结合所述拟合曲线，得到待测位置的温度值。本发明具有测量精度高和测量速度快的优点，同时提高了温度测量上限，能适应各种超高温测量场景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 碳化硅 散射 高峰 温度 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
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