[发明专利]一种含硅镁合金电弧增材制造方法有效

专利信息
申请号: 202111632962.5 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114346368B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 郭跃岭;韩启飞;胡锦龙;闫杨予;符瑞;刘长猛 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: B23K9/04 分类号: B23K9/04;B23K9/235;B23K35/24;B23K9/167;B33Y10/00;B33Y70/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 赵琪
地址: 100081 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种含硅镁合金电弧增材制造方法,属于耐热镁合金结构件制造技术领域。本发明提供了一种含硅镁合金电弧增材制造方法,包括以下步骤:对目标结构件进行三维建模,切片化处理后生成三维增材加工程序,导入计算机控制系统;将基板进行预热;将含硅镁合金丝材进行电弧增材后冷却,得到含硅镁合金。本发明针对目前普通铸造工艺下高强耐热含硅镁合金Mg2Si相粗大、高温性能低的问题,通过电弧熔丝增材制造的方法实现快速凝固来细化Mg2Si改善其微观组织及高温性能。本发明提供的电弧增材制造方法能够高效率的快速成形高质量的耐热镁合金结构件。
搜索关键词: 一种 镁合金 电弧 制造 方法
【主权项】:
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