[发明专利]一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列在审
| 申请号： | 202111636734.5 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114334649A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王幸福;陈鑫;林雨田;董泽鑫 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/683;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510630 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列，该方法通过设置包含有重掺杂GaN牺牲层和阻断漏电流通路的高阻层的GaN HEMT器件阵列结构，在器件的表面覆盖钝化绝缘层保护器件，通过在钝化绝缘层上开设通孔暴露源漏和栅极进而通过键合金属将其键合至目标基底，进一步地结合特定的电化学腐蚀方法，将HEMT阵列从刚性衬底释放，实现了器件阵列的无损剥离，释放了材料内部的应力，有效的解决了缓冲层和衬底漏电的问题，极大的提升了HEMT器件的性能，为HEMT器件与目标基底的异构集成提供了新渠道，极大的拓宽了电子电力器件的使用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 gan hemt 器件 阵列 转移 集成 方法 及其 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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