[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111640459.4 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114361036A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张文广 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括基底及凸出于所述基底的鳍部；形成衬垫层，所述衬垫层覆盖所述基底并部分填充于相邻的鳍部之间；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖暴露于所述衬垫层之外的鳍部的外壁，所述牺牲层的材质与所述鳍部的材质相同；以及，利用至少部分所述牺牲层形成栅氧层，所述栅氧层覆盖所述鳍部。本发明中，利用与鳍部相同材质的牺牲层覆盖于鳍部的表面以补偿已消耗的鳍部，并且预补偿后续待消耗的鳍部，以解决半导体器件制造过程中鳍部硅损耗而导致的线宽损失问题。另外，该牺牲层形成于衬垫层之后，还可使得半导体器件在之前的工艺过程中具有较大的工艺集成窗口，以利于相应工艺的执行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111640459.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
