[发明专利]栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法在审
| 申请号： | 202111640460.7 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114361017A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 黄豪俊 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/027;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，栅极堆叠结构的形成方法包括：提供一衬底；形成功函数叠层；形成阻挡层覆盖功函数叠层；形成抗反射层填充栅极沟槽；去除所述第二区域的抗反射层及阻挡层；去除第二区域的部分功函数叠层；去除第一区域的抗反射层及阻挡层；在栅极沟槽内形成栅极导电层，以形成第一栅极堆叠结构及第二栅极堆叠结构。本发明中，通过在功函数叠层上形成阻挡层，利用阻挡层减少或避免在去除抗反射层时以及在去除阻挡层时损伤功函数叠层，并且同时不影响整个工艺过程的工艺窗口，从而解决在打开功函数叠层上的抗反射层时功函数叠层被损伤的问题，提高制造栅极叠层结构的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 堆叠 结构 形成 方法 finfet 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
