[发明专利]一种表面增强拉曼散射基底在审
申请号: | 202111640957.9 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114264644A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 田毅;褚卫国;陈佩佩;胡海峰 | 申请(专利权)人: | 国家纳米科学中心 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 赵颖 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种表面增强拉曼散射基底,所述表面增强拉曼散射基底包括衬底,设置于衬底一侧表面的墙阵列,以及设置于墙阵列表面的等离子体共振纳米结构层;所述墙阵列包括平面介质格栅,以及覆盖所述平面介质格栅与衬底表面的金属膜层。本发明通过在SERS基底设置墙阵列结构以及覆盖墙阵列结构的等离子体共振纳米结构层,使表面等离激元波对表面等离子体共振的激发最大化,从而得到具有高灵敏度以及高均一性的表面增强拉曼散射基底。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 增强 散射 基底 | ||
【主权项】:
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