[发明专利]硅量子点光伏异质结制备方法在审
| 申请号： | 202111641234.0 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114497275A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 唐利斌;方莉媛;张玉平;项金钟 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/109;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 硅量子点光伏异质结制备方法，涉及光电技术领域，尤其是一种硅量子点薄膜的制备技术。本发明的方法采用射频磁控溅射高纯石墨，直流磁控溅射n型硅共溅射在衬底上，溅射后退火处理形成硅量子点光伏异质结薄膜。与现有制备技术相比，本发明采用的是低成本的磁控溅射法制备硅量子点薄膜，很好的降低了制备成本、绿色环保、且薄膜可控性强、均匀性好。通过选择合适的半导体衬底材料，即可制备成具有光伏特性的硅量子点异质结，在光电子领域具有很大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 点光伏异质结 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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