[发明专利]一种基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法

摘要

本发明公开了一种基于氮化硅干法刻蚀工艺的去氟方法，在干法刻蚀前通过半导体基板表面进行除渣处理以去除半导体基板表面残留的光刻胶，避免氮化硅层刻蚀不彻底导致SIF4残留。氮化硅层被含碳和氟的气体刻蚀后产生反应副产物氟碳链聚合物，在通入一定比例的氮气和氢气的混合气体对半导体基板的表面的氟碳聚合物进行去除，并且辅助加入氧气后对半导体基板的表面的氟碳聚合物的去除效果更好，能有效提高去除效率，避免氟碳聚合物对半导体基板上的焊盘造成腐蚀，提高器件的良率和可靠性。与湿法去氟工艺相比，本发明能够减少多道工序，简化生产流程，降低生产成本。