[发明专利]一种晶圆洗边蚀刻方法在审
| 申请号： | 202111643643.4 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114420536A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 廖世保;徐铭;邓信甫 | 申请（专利权）人： | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆洗边蚀刻方法，包括：步骤S1，获取一晶圆并将晶圆放置于一放置台上；步骤S2，控制放置台进行旋转，并控制多个喷淋管依次喷淋溶液对晶圆的边缘进行复层洗边蚀刻。有益效果是本方法采用多个喷淋管依次喷淋第一溶液、第二溶液和第三溶液对晶圆的边缘进行洗边蚀刻，以完全清除晶圆边缘的表面物质并有效提升清洗蚀刻效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆洗边 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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