[发明专利]一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法在审

专利信息
申请号: 202111643670.1 申请日: 2021-12-29
公开(公告)号: CN114420815A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 邓信甫;刘大威;陈丁堃 申请(专利权)人: 上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司
主分类号: H01L33/24 分类号: H01L33/24;H01L21/02;H01L21/306
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 竺路玲
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及LED器件生产技术领域,具体涉及一种用于提升LED器件光提取效率的边际湿法处理方法,包括:步骤S1:于一基板上形成多个所述LED器件;步骤S2:于所述LED器件的部分表面形成牺牲层,对所述LED器件进行蚀刻,于所述LED器件的侧面形成斜面;步骤S3:对所述LED器件采用第一清洗方法进行清洗,随后对所述LED器件进行干燥处理以完成处理过程。本发明的有益效果在于:通过对LED器件的侧面形成一斜面,减少了LED器件内的全反射光纤,进而提高了LED器件的光提取效率,实现了较现有技术更高的发光效率。
搜索关键词: 一种 用于 提升 led 器件 提取 效率 边际 湿法 处理 方法
【主权项】:
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