[发明专利]一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺及结构在审
| 申请号： | 202111644021.3 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114284217A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王印权;郑若成;洪根深;吴建伟;贺琪;胡君彪;郝新焱 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L23/525;H01L27/112 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强;杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于ONO介质的MTM型反熔丝单元的制备工艺及结构，属于微电子工艺制造领域。提供衬底，并在其表面依次制作中间金属布线、反熔丝底层金属和底层金属阻挡层；进行MTM反熔丝ONO叠层介质的淀积；进行顶层金属阻挡层的淀积；对ONO叠层介质和顶层金属阻挡层进行光刻和腐蚀，形成岛状反熔丝结构；淀积金属层间介质IMD，所述金属层间介质IMD包覆所述ONO叠层介质和所述顶层金属阻挡层；进行反熔丝通孔的光刻、通孔Via的淀积并进行CMP平坦化；淀积反熔丝顶层金属，并光刻、腐蚀，形成反熔丝上电极。本发明采用新型的MTM反熔丝介质工艺，显著降低反熔丝单元编程电流，减小反熔丝存储单元Bitcell的版图面积，提升反熔丝存储单元的集成度10倍以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 ono 介质 mtm 型反熔丝 单元 制备 工艺 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
