[发明专利]三维存储器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，包括：在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构在平行于衬底的横向上的一端形成台阶结构；形成覆盖于台阶结构上的绝缘覆盖层；在台阶结构上形成冗余沟道孔，冗余沟道孔在垂直于衬底的纵向上延伸，冗余沟道孔的顶端部位于绝缘覆盖层中，且冗余沟道孔不贯穿台阶结构；在冗余沟道孔中形成冗余沟道结构；形成在纵向上延伸且贯穿冗余沟道结构和台阶结构的虚拟沟道结构，虚拟沟道结构在衬底上的正投影位于冗余沟道结构在衬底上的正投影内，从而在三维存储器的形成工艺中，能够减小虚拟沟道结构的顶部尺寸和底部尺寸的差异，进而有利于增大形成接触插塞时的工艺窗口，以减小制造工艺难度，并降低生产成本。