[发明专利]一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀在审
申请号: | 202111648470.5 | 申请日: | 2021-12-29 |
公开(公告)号: | CN114361054A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 刘德强 | 申请(专利权)人: | 深圳市盛元半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K20/10;B23P15/00;C23C16/27;C23C16/56 |
代理公司: | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人: | 陈方;梁宇珊 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及半导体封装技术领域,具体公开了一种免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺及生产得到的劈刀,免清洗铝线键合用劈刀的生产工艺具体操作如下:劈刀衬底的制备;表层预处理:碱性混合液清洗劈刀衬底,乙醇清洗,光纤激光结构粗化;将劈刀衬底浸至熔融状的氢氧化钠,乙醇清洗;碱性混合液包括如下重量份的原料:10‑20份质量分数18‑25%的氢氧化钠水溶液和3‑7份烷基酚聚氧乙烯醚;表层强化处理,得到劈刀。本申请工艺生产的劈刀沉积层厚度3.0‑5.0μm,沉积层结合力最高HF1,沉积层连续紧密,且光滑平整。劈刀材料去除量最低246.7mm3,耐磨性强;弯曲强度最高1632MPa,使劈刀达到了免清洗的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 清洗 铝线键 合用 劈刀 生产工艺 生产 得到 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市盛元半导体有限公司,未经深圳市盛元半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111648470.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造