[发明专利]一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法在审
| 申请号： | 202111649102.2 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114335145A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 高欣源;李晋;杨淞义;钟敏;袁松;钮应喜;赵海明;赵清;单卫平 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 李志起 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体来说是一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法，包括衬底，所述衬底上设有成核层；所述成核层上设有缓冲层；所述缓冲层上设有沟道层；所述沟道层上设有势垒层；所述势垒层上具有源极、栅极以及漏极；所述栅极与势垒层之间设有P‑GaN层；所述源极与势垒层之间设有存储层；所述源极与栅极以及栅极与漏极之间均设有钝化层；本发明公开了一种抑制电流崩塌的HEMT器件，本发明通过存储层设置，器件关断时，源极下方pGaN电荷存储层中的净负电荷有效加速2DEG的耗尽，减小关断时间，降低器件关断损耗；器件开启时，存储层中净负电荷减少，有助于2DEG恢复，减小开启时间，降低开启损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 电流 崩塌 hemt 器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
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