[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111649991.2 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN116417403A | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡世鸿;林建廷;林毓翔;傅思逸;许智凯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法首先提供一第一基底包含一高压区以及一中压区以及一第二基底包含一低压区以及一静态随机存取存储器区，其中高压区包含一高压元件，中压区包含一中压元件，低压区包含一鳍状结构场效晶体管且静态随机存取存储器区包含静态随机存取存储器。然后进行一接合制作工艺利用混合接合制作工艺、硅贯通中介层(through‑silicon interposer,TSI)或重布线层等方式接合第一基底以及第二基底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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