[发明专利]一种较深型腔载带的成型方法在审
申请号: | 202111654207.7 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114347435A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 张澎涛;韩祥;方健 | 申请(专利权)人: | 上海芯湃电子科技有限公司 |
主分类号: | B29C51/08 | 分类号: | B29C51/08;B29C51/10;B29L31/00 |
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地址: | 200241 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种较深型腔载带的成型方法,通过气压正吹,冲压模具下压和气压反吹三步完成载带型腔的成型加工,既解决了目前已知方法在制作较深型腔载带时型腔底部和侧壁厚度不均匀的弊端,可有效制作型腔深度达30mm的载带,同时提高了型腔的成型精确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 较深型腔载带 成型 方法 | ||
【主权项】:
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