[发明专利]一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111656160.8 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114300593A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 陈逸豪;张煜;王津 | 申请（专利权）人： | 苏州诺斯鲁精密科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州汇诚汇智专利代理事务所(普通合伙) 32623 | 代理人： | 莫英妍 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相城*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有复合缓冲层的近紫外LED外延结构及其制备方法，包括外延结构包括依次设置的衬底、复合缓冲层和半导体层，复合缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，且所述第一缓冲层为图案型，且所述第一缓冲层为氮化镓层，所述第二缓冲层设置在第一缓冲层上，且所述第二缓冲层为三氧化二铝层，且所述三氧化二铝层的下侧填充在第一缓冲层的图案内，所述第一缓冲层的上侧为平整的，且复合缓冲层通过真空溅渡成型，通过设置此复合缓冲层，能有利于晶格不匹配的情况下，更好的生长薄膜，提高晶体的质量，即提高LED外延结构的稳定和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 缓冲 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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