[发明专利]钝化接触电池的制备方法

摘要

本发明提供了一种钝化接触电池的制备方法，该钝化接触电池的制备方法包括如下步骤：获取包括半导体衬底和层叠设置于半导体衬底背面的隧穿氧化层的电池基片；采用等离子体增强化学气相沉积法，通入包括硅源气体的第一沉积气体，在沉积腔体内于隧穿氧化层上沉积硅钝化层；通入包括硅源气体和反应气体的第二沉积气体，在同一沉积腔体内于硅钝化层上继续沉积硅化物遮蔽层；在硅化物遮蔽层的遮蔽下，去除半导体衬底正面或侧面的绕镀材料。制备该硅化物遮蔽层所花费的实际时间可以控制在2min内完成，这一过程无需移动电池基片，也不需要引入新的设备，相当于基本没有改变原有的沉积工艺和设备，也没有大幅增加制备时间。