[发明专利]一种累托石基抗击穿储能聚合物复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202111660300.9 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114276633B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 杨华明;梁晓正;任阳君;解维闵 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉）;中南大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K3/24;C08K3/22;C08K3/34;C08J5/18 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 魏波 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明的一种累托石基抗击穿储能聚合物复合薄膜及其制备方法。方法如下：S1：取聚合物粉末与有机溶剂常温搅拌溶解得到均匀溶液；S2：将钠化插层改性的累托石悬浊液与钛基柱撑溶液混合完成钛化，用蒸馏水洗涤溶液，离心并烘干产物，煅烧得到累托石/二氧化钛；S3：将无机介电材料、累托石/二氧化钛与步骤S1制备的均匀溶液按照质量比1:1‑10混合，超声搅拌得到均质混合液；S4：将步骤S3得到的混合液浇筑成膜；其中步骤S1和S2无先后顺序。本发明以黏土矿物累托石作为介电抗击穿功能组分引入聚合物介质薄膜体系，通过与无机介电材料复合达到保持介电常数的同时，提升体系抗电性能，以提升聚合物介质的能量密度和充放电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 累托石基 抗击 穿储能 聚合物 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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