[发明专利]一种零位错P型锗单晶制备方法在审
| 申请号： | 202111660623.8 | 申请日： | 2021-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114250503A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李宝学;刘得伟;林作亮;李长林;李国芳;黄四江;沙智勇;陆贵兵;普世坤 | 申请（专利权）人： | 昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/08 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800～1000mm，通过本发明的技术方案，极大的降低了大尺寸锗单晶的位错密度，特别的可获得位错密度为零的6英寸锗单晶，更加适用于锗衬底化合物半导体叠层电池所要求的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 零位 型锗单晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
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