[发明专利]可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法在审
| 申请号： | 202111663779.1 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114334794A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李乐;胡林辉;黄永彬;王峰 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可消除浅沟槽凹坑的半导体工艺方法，包括步骤：提供衬底，包括若干间隔分布的有源区以及位于有源区中间的浅沟槽隔离结构；于有源区内形成阱区；形成第一厚度的牺牲材料层，牺牲材料层覆盖有源区及浅沟槽隔离结构，牺牲材料层的材质与浅沟槽隔离结构的材质相同；对牺牲材料层进行化学机械研磨，以使牺牲材料层的厚度消减为第二厚度，第一厚度与第二厚度的差值大于等于400埃；进行湿法刻蚀去除残余的牺牲材料层，并使得有源区的上表面和浅沟槽隔离结构的上表面相平齐；于有源区的上表面依次形成栅氧化层和栅极多晶硅层。本发明可以有效避免在浅沟槽隔离结构周围形成凹坑，可以避免器件的局部导通，有助于提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 沟槽 半导体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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